富士電機(jī)開發(fā)了IGBT模塊作為電動機(jī)的可變速驅(qū)動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件。IGBT是同時具有功率MOSFET的高速開關(guān)性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件。
特長
實(shí)現(xiàn)了封裝小型化和輸出功率的提高！
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C時可保證連續(xù)運(yùn)行
環(huán)境友好型模塊
- 高裝配性，支持無焊裝配
- 支持RoHS（部分除外）
開關(guān)特性
- 改善噪音-損耗平衡
- 通過降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動
H系列
產(chǎn)品型號
Ic(A)
Vce(sat)
ton
toff
Rth(j-c)
Tc=80℃
Max(V)
(us)
(us)
K/W
1MBI200HH-120L-50
200
3.1
0.2
0.3
-
1MBI300HH-120L-50
300
3.2
0.2
0.3
-
1MBI400HH-120L-50
400
3.1
0.2
0.4
-
2MBI100HH-120-50
100
3.6
0.6
0.6
-
2MBI150HH-120-50
150
3.7
0.6
0.6
-
2MBI200HH-120-50
200
3.6
0.6
0.6
-
