產品詳情
簡單介紹：
由于SiC功率器件超越傳統Si制品，具有低損耗和高速運行能力，因此作為大電流和高壓應用中的節(jié)能關鍵器件而受到關注。我們的SiC-MOSFET模塊是適用于高速開關的產品，采用獨自的包裝「Techno Block※1」，可提高長期可靠性，減少損耗并減小尺寸。
詳情介紹：
三社2合1 SiC MOSFET 模塊特點
- 獨自的包裝「Techno Block」可實現長期可靠性※2和小型化
- 內部結構可實現高速開關并將電感減小到大約1/2（與我們的傳統產品相比）
- 采用了松下公司獨特的SiC-MOSFET芯片（DioMOS（二極管內置MOSFET）），該芯片具有內置的再生二極管功能，可以減少不必要的電感，以實現理想的開關。
- 對SiC-MOS的弱點短路破壞，實現了裝置**設計的業(yè)界**的短路耐量
- 芯片擁有在高溫（150°C）下也幾乎不變的導通電阻特性，在實際使用中可實現高效率化
- 具有高閾值（閾值電壓4.0V（Typ.））的門極特性，可以抵抗高頻驅動期間由于噪聲引起的故障
- ※1
-
小型，高散熱封裝，帶有我們獨特的雙面焊接和一體注塑成型工藝
通過不使用引線鍵合技術來實現長期可靠性和小型化。Techno Block是我們的商標。 - ※2
- 功率循環(huán)耐量約為本公司傳統產品的3倍。
用途
- 工業(yè)變頻器
- DC-DC轉換器
- 電動車充電器
- 高輸出諧振電源
*大額定
除非另有說明一般 Tj=25℃
| 項目 | 符號 | 單位 | 額定值 | 條件 | |
|---|---|---|---|---|---|
| FCA100AC120 | FCA150AC120 | ||||
| 漏極電壓 | VDSS | V | 1200 | - | |
| 漏極電流 | ID | A | 100 | 150 |
VGS＝20V, Tc＝90℃ |
| 電力流失 | Ptot | W | 625 | 1135 | Tc＝25℃ |
| 工作結溫 | Tj | ℃ | -40 ～ +150 | - | |
| 絕緣耐壓 | Viso | V | 2500 | AC 60Hz 1min | |
電氣特性
除非另有說明一般 Tj=25℃
| 項目 | 符號 | 單位 | 規(guī)格值 | 條件 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| *小 | 標準 | *大 | |||||||||
| FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100/150AC120 | |||
| 漏極導通電阻 | RDS(on) | mΩ | - | - | 6.8 | 4.1 | 14 | 9.3 |
ID ＝100A |
ID ＝150A |
VGS＝20V |
| - | - | 7.4 | 4.5 | 15 | 10 |
VGS＝20V, Tj＝150℃ |
|||||
| 漏極熔斷電流 | IDSS | μA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - |
VDS＝1200V, VGS＝0V |
| 門極閾值電壓 | VGS（th） | V | 3 | 3 | 4 | 4 | 5 | 5 |
ID ＝3mA |
ID ＝4.5mA |
VDS＝10V |
| 門極漏電流 | IGSS | nA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - |
VGS=20V, VDS=0V |
| 熱阻 | Rth(j-c) | ℃/W | - | - | - | - | 0.2 | 0.11 | - | - |
接合部 - 外殼間 （每個素子） |
